IPD12CNE8N G
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IPD12CNE8N G参数：MOSFET N-CH 85V 67A TO252-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品变化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009
标准包装：2,500
系列：OptiMOS™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：85V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：67A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.4毫欧@67A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@83µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：64nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：4340pF@40V
功率-最大值：125W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63
供应商器件封装：PG-TO252-3